Микросхема EEPROM памяти Northrop Grumman для применения

Микросхема EEPROM памяти Northrop Grumman для применения при высоких
температурах успешно прошла начальный этап испытаний.
Northrop
Grumman
успешно
завершили
первоначальные
испытания
полупроводникового
устройства
высокотемпературного,
электрически
перепрограммируемого ПЗУ (EEPROM) длительного срока хранения информации.
Области применения данного устройства — нефтедобыча и другие приложения с
высокими температурами — без необходимости перепрограммирования памяти в
течение длительного времени.
Линтикам, Мэрилэнд, - 4 ноября, 2014 - Northrop Grumman Corporation (NYSE:NOC)
успешно завершили первоначальные испытания нового полупроводникового изделия –
энергонезависимой памяти – которая будет очень востребована в области нефтедобычи и
других областях, где применяются полупроводниковые устройства, способные работать
длительное
время
в
условиях
высокой
температуры.
Фотография кристалла микросхемы памяти
Новое
полупроводниковое
устройство
использует
электрически-стираемую
программируемую память ПЗУ емкостью 256 кБит (EEPROM) и работает при температуре
225 С (437 F). Устройство представляет собой 32Кх8 бит КМОП структуру (CMOS) и
основано на уже существующей разработке Northrop Grumman — микросхеме W28C256.
Результаты испытаний показали, что устройство хранит информацию при температуре 225 С
в течение не менее 5 лет, что выходит за рамки возможностей уже существующих микросхем
энергонезависимой памяти. Новая разработка была создана в лабораториях новейших
технологий Northrop Grumman в кооперации с Национальными лабораториями Сандии,
Альбукерке, Нью-Мексико.
Northrop Grumman предлагает функциональные образцы для потенциальных потребителей
для
озхнакомления
до
окончания
процесса
квалификационных
испытаний.
«Northrop Grumman на протяжении долгих лет лидирует в области разработки и производства
передовых полупроводниковых устройств», - говорит Пэт Антковиак, вице президент и
генеральный директор подразделения Передовых идей и технологий Northrop Grumman.
«Хранение информации в течение 5-ти лет создает настоящий прорыв в применении данной
памяти при бурлении скважин в нефтедобыче в условиях высокой температуры».
Существующие микросхемы энергонезависимой памяти, применяемые в нефтедобыче,
должны перепрограммироваться через каждые 1000 часов. Увеличив время хранение
информации и доведя его до 5 лет при температуре в 225 С, Northrop Grumman преодолели
барьер в производстве высокотемпературных подсистем, эксплуатируемых в условиях
бурления
скважин.
Новая память емкостью 256 кБит (EEPROM) должна быть окончательно протестирована к
июлю, 2015, с целью тестирования еѐ возможности функционировать при температуре до 250
С
(482
F).
Другие области, в которых применяются полупроводниковые устройства длительного
хранения
информации,
тоже
выиграют
от
этого
изобретения.
Northrop Grumman – ведущая мировая компания, занимающаяся разработками и
производством решений, инновационных систем, продукции в сфере безопасности:
непилотируемые системы, защита от кибератак, многофункциональные информационноуправляющие системы (C4ISR) для правительства и коммерческих организаций по всему
миру. Пожалуйста, посетите наш вебсайт: http://www.northropgrumman.com чтобы получить
больше
информации.
Для получения дополнительной информации по продукции компании и заказа образцов
обращайтесь:
по телефону +7 495 627-76-24
или электронной почте [email protected]