НГУ ФФ Кафедра физики полупроводников Направление подготовки: 510104 физика полупроводников, микроэлектроника. Базовый институт: Институт физики полупроводников Кафедра физики полупроводников Новосибирского государственного университета (НГУ) основана академиком Анатолием Васильевичем Ржановым, который и возглавлял ее более 20 лет. Задача кафедры – подготовка специалистов в области физики и техники полупроводников, физики структур пониженной размерности, процессов микро- и нанотехнологии, физико-химии и технологии поверхности тонких пленок, микро- и наноэлектроники. Основные направления подготовки: физика и техника полупроводников, создание и исследование полупроводниковых микро и наноструктур и тонких пленок, физика структур пониженной размерности, физика процессов микро- и нанотехнологии, физхимия и технологии поверхности и межфазных границ, микро- и наноэлектроника. Темы дипломных работ: «Электронно-микроскопические исследования нанокристаллов CdZnS и CuS, сформированных в пленках Ленгмюра – Блоджетт», «Формирование границы раздела оксид гафния/GaAs (001) c интерфейсным слоем кремния», «Ступенчатая фотопроводимость Ge(Sn)/Si структур с квантовыми точками», «Оптические переходы в легированных углеродных нанотрубках», «Кристаллизация многослойных наногетероструктур на основе аморфного гидрогенизированного кремния» и т.д. Подготовка специалистов на кафедре реализуется известными российскими научными школами, получившими мировое признание. А также в рамках учебно-научного центра «Технология и физика полупроводниковых наноструктур», созданного в рамках федеральной целевой программы «Интеграция». Кафедра дает базовые знания по физике, технике и материаловедению полупроводников, а также необходимые навыки практической работы в области современных высоких технологий. Особое внимание уделяется способам создания и изучения электронных, оптических и структурных свойств полупроводниковых микро- и нанообъектов, физико-химии и атомной инженерии поверхности и границ раздела, исследованию элементарных процессов эпитаксиального роста полупроводниковых слоев. Студенты, специализирующиеся на кафедре, работают на высококлассном современном экспериментальном оборудовании ведущих мировых производителей, а также на уникальных физических и технологических комплексах собственного изготовления, которыми располагает ИФП СО РАН: 1) установки для молекулярно-лучевой эпитаксии элементарных полупроводников (Si, Ge), полупроводниковых соединений III-V (GaAs, InAs, AlAs), полупроводниковых соединений II-VI ( CdTe,HgTe) типа "Катунь"; 2) установки для молекулярно-лучевой эпитаксии соединений III-V типа MBE-1000, MBE-32, CBE-32 фирмы Riber; 3) просвечивающий электронный микроскоп с атомным разрешением (JEOL) 4) сканирующий туннельный микроскоп (Riber) 5) сверхвысоковакуумные комплексы для исследования поверхности твердых тел методами электронной и рентгеновской спектроскопии типа SSC и Nanoscan (Riber), ESCALAB (VG); 6) установки электронной литографии (Ziess); 7) спектрофотометры и спктроэллипсометры (Jobin -Yvon) 8) ИК фурье-спектрометры (Bruker); 9) свехвысоковакуумный отражательный электронный микроскоп; 10) установка для получения сверхнизких температур (Cambrige Instruments) Кафедра имеет научные связи с другими родственными кафедрами вузов России, а также исследовательскими лабораториями в области физики полупроводников и микроэлектроники. Среди них кафедры физики полупроводников Томского и Омского государственных университетов, Новосибирского государственного технического университета, ФТИ РАН им. А.Ф.Иоффе ( Санкт-Петербург), Физического института РАН (Москва). С момента создания кафедры на ней защитили дипломные работы более 400 студентов, из них более 100 защитили кандидатские, а 16 – докторские диссертации (5 докторов наук – выпускников кафедры, ведут преподавательскую деятельность на кафедре). Среди выпускников кафедры – лауреаты Государственных премий СССР и России. Заведующий кафедрой: член-корреспондент РАН, доктор физико-математических наук Латышев Александр Васильевич. Кафедра является базовой для лабораторий: Лаборатория полупроводниковых и диэлектрических материалов ФФ, Лаборатория наносверхпроводимости ФФ, Учебно-научная лаборатория квантовых явлений в конденсированных системах ФФ.