форму заявки;doc

НГУ
ФФ
Кафедра физики
полупроводников
Направление подготовки:
510104 физика полупроводников, микроэлектроника.
Базовый институт: Институт физики полупроводников
Кафедра физики полупроводников Новосибирского государственного университета (НГУ) основана академиком Анатолием Васильевичем
Ржановым, который и возглавлял ее более 20 лет.
Задача кафедры – подготовка специалистов в области физики и техники полупроводников, физики структур пониженной размерности,
процессов микро- и нанотехнологии, физико-химии и технологии поверхности тонких пленок, микро- и наноэлектроники.
Основные направления подготовки: физика и техника полупроводников, создание и исследование полупроводниковых микро и
наноструктур и тонких пленок, физика структур пониженной размерности, физика процессов микро- и нанотехнологии, физхимия и
технологии поверхности и межфазных границ, микро- и наноэлектроника.
Темы дипломных работ: «Электронно-микроскопические исследования нанокристаллов CdZnS и CuS, сформированных в пленках
Ленгмюра – Блоджетт», «Формирование границы раздела оксид гафния/GaAs (001) c интерфейсным слоем кремния», «Ступенчатая
фотопроводимость Ge(Sn)/Si структур с квантовыми точками», «Оптические переходы в легированных углеродных нанотрубках»,
«Кристаллизация многослойных наногетероструктур на основе аморфного гидрогенизированного кремния» и т.д.
Подготовка специалистов на кафедре реализуется известными российскими научными школами, получившими мировое признание. А также
в рамках учебно-научного центра «Технология и физика полупроводниковых наноструктур», созданного в рамках федеральной целевой
программы «Интеграция». Кафедра дает базовые знания по физике, технике и материаловедению полупроводников, а также необходимые
навыки практической работы в области современных высоких технологий. Особое внимание уделяется способам создания и изучения
электронных, оптических и структурных свойств полупроводниковых микро- и нанообъектов, физико-химии и атомной инженерии
поверхности и границ раздела, исследованию элементарных процессов эпитаксиального роста полупроводниковых слоев.
Студенты, специализирующиеся на кафедре, работают на высококлассном современном экспериментальном оборудовании
ведущих мировых производителей, а также на уникальных физических и технологических комплексах собственного изготовления,
которыми располагает ИФП СО РАН:
1) установки для молекулярно-лучевой эпитаксии элементарных полупроводников (Si, Ge), полупроводниковых соединений III-V (GaAs, InAs,
AlAs), полупроводниковых соединений II-VI ( CdTe,HgTe) типа "Катунь";
2) установки для молекулярно-лучевой эпитаксии соединений III-V типа MBE-1000, MBE-32, CBE-32 фирмы Riber;
3) просвечивающий электронный микроскоп с атомным разрешением (JEOL)
4) сканирующий туннельный микроскоп (Riber)
5) сверхвысоковакуумные комплексы для исследования поверхности твердых тел методами электронной и рентгеновской спектроскопии
типа SSC и Nanoscan (Riber), ESCALAB (VG);
6) установки электронной литографии (Ziess);
7) спектрофотометры и спктроэллипсометры (Jobin -Yvon)
8) ИК фурье-спектрометры (Bruker);
9) свехвысоковакуумный отражательный электронный микроскоп;
10) установка для получения сверхнизких температур (Cambrige Instruments)
Кафедра имеет научные связи с другими родственными кафедрами вузов России, а также исследовательскими лабораториями в области
физики полупроводников и микроэлектроники. Среди них кафедры физики полупроводников Томского и Омского государственных
университетов, Новосибирского государственного технического университета, ФТИ РАН им. А.Ф.Иоффе ( Санкт-Петербург), Физического
института РАН (Москва).
С момента создания кафедры на ней защитили дипломные работы более 400 студентов, из них более 100 защитили кандидатские, а 16 –
докторские диссертации (5 докторов наук – выпускников кафедры, ведут преподавательскую деятельность на кафедре). Среди выпускников
кафедры – лауреаты Государственных премий СССР и России.
Заведующий кафедрой: член-корреспондент РАН, доктор физико-математических наук Латышев Александр Васильевич.
Кафедра является базовой для лабораторий: Лаборатория полупроводниковых и диэлектрических материалов ФФ, Лаборатория
наносверхпроводимости ФФ, Учебно-научная лаборатория квантовых явлений в конденсированных системах ФФ.