Инновационные светодиоды на основе технологии GaN-on

Plessey располагает своё производство на площади порядка 53,000 м. кв., и
имеет в своем резерве дополнительные площади для расширения ~ 60,000
м.кв.
Стандарты производства ISO9001, TS16949, ISO14001, OHSAS 18001
Две линии производства пластин:
1. Производство 8-дюймовых (200 мм) пластин:
1,550 м. кв., Класс 1000.
2. Производство 6-дюймовых пластин (150 мм):
1,200 м. кв., Класс 10: GaN-on-Si для светодиодов и силовых
приборов.
2
Chicago
Boston
Munich
Irvine
Shanghai
Shenzhen
Manchester
Cambridge
Plymouth
Главный офис
Swindon
Центры разработок и исследований
Офисы продаж
3
Светодиодная технология
MAGIC: производство светодиодов по технологии GaN-на-Si
Основное направление GaN-на-Si
10 реакторов установлены на
фабрике в Плимуте
Расширение номенклатуры
Эффективность 100 Лм/Вт и выше
Plessey удваивает эффективность в течение года, с 32 до 64 Лм/Вт
Plessey первые в мире производят светодиоды на кремниевых
подложках диаметром 6” (150 мм)
Plessey является первопроходцем на рынок светодиодов на GaN-on-Si
Plessey достигает £20m+ изготавливая дешевые светодиоды GaN-on-Si
Установлены промышленные установки осаждения GaN на кремниевые пластины
большого диаметра (150 mm)
Завершена передача экспериментальной технологии на производство
Кембриджский университет инициализирует исследования на GaN-on-Si в 2003 г.
Plessey и Кембриджский университет начинает развитие материала GaN-на-Si на 6-дюймовой
линии в Плимуте. Первые рабочие образцы получены в 2009.
Plessey приобретает CamGaN, которая владела GaN-на-Si Кембриджской технологией, в
конце 2011 г.
5
Большинство компаний используют 2х или 4х дюймовые сапфировые или SiC подложки
Plessey использует 6” Si подложки и технологию тонкого-GaN, полностью совместимую со
стандартной технологией производства ИС.
Особенности
Si
6”
Тонкий-GaN
Преимущества
Уменьшение стоимости за счет
использования Si
Уменьшение стоимости
эпитаксии
Уменьшение стоимости тех.
процессов
Высокая производительность
Автоматическая
обработка
42x2” sapphire vs. 7x6” silicon
Высокий процент выхода
Другие преимущества включают высокую степень
однородности и повышенный срок хранения.
6
Подготовка пластин/кристаллов к сборке
Установка
пластины
Лазерное
скрайбирование
Расширение
пластины
Разлом
пластин
Сортировка
Сборка кристаллов
Посадка чипов
Тест
Сушка в
печи
Упаковочный
сортировщик
Монтаж
выводов
Проверка
связи выводов
Герметизация
Удаление
остатков клея
Упаковка в ленты
и пленки
Возможность обрабатывать и поставлять кристаллы на пленке.
Будет содействовать Plessey быстрым прототипам и разработки новых дизайнов
Возможность получить инженерные образцы в корпусе 3535
Возможность получения инженерных образцов PLCC в корпусах 5630 и 3020
Планирует приобрести собственный дозатор люминофора
7
Вид подложки и стоимость
SiC (4”) >50x
Sapphire (4”) >5x
Si (6”)
~$0.1/cm2
Подложки
Эпитаксия
кристаллы
Сборка
(люминофоры)
Подсистемная
интеграция
Дистрибьюторы
Производители
Применение
MOCVD
Собственные процессы роста, резки и упаковки
8
Тонкий слой: Толщина
эпитаксиального слоя ~2.5
μm по сравнению с ~8 μm
многих других GaN-on-Si
производителей
Тонкий слой GaN-на-Si
светодиодов
Производственные
мощности Si фабрик
Короче время процесса и высокая
пропускная способность
Уменьшение стоимости эпитаксии
Повышение эффективности
обработки устройств
Уменьшение отходов и увеличение
процента выхода
Более низкая стоимость процессов
Некоторая активность
GaN-on-Si R&D
Подложкт GaN-on-Si
9
Номенклатурная линейка светодиодов
MAGIC: GaN-on-Si
Белые светодиоды
Drive Current
(mA)
5
1005
3528
3014
4014
2835
3020
5630
3535
PLW138003
0.7
PLW111010
PLW111020
20
nom. Flux (lm)
(@ white 6000K)
60
4
6
PLW11B050
100
PLW11C050
PLW115050
PLW11C090
PLW115090
PLW114050
150
12
PLW11A090
20
PLW11A170
30
300
PLW116360
80
3535
nom. Rad. Pwr
(mW) @ 460nm
Синие светодиоды
Drive Current
(mA)
5
20
60
100
150
300
1005
3528
3014
4014
2835
3020
5630
PLB138003
3
PLB111010
PLB111020
10
20
PLB11B050
PLB11C050
PLB115050
PLB11C090
PLB115090
PLB114050
50
PLB11A090
90
PLB11A170
170
PLB116360
360
11
Чипы синих светодиодов
drive
current
(mA)
part number
die size
(um)
5
20
60
100
350
1000
PLB030003
PLB010020
PLB010050
PLB010090
PLB010360
PLB011000
180x180
300x300
550x550
630x630
1000x1000
3000x3000
typ VF (V)
2.9
3.1
Radiant
power
(mW)
3
20
50
90
360
1000
(Plessey предоставляет также кристаллы на пленках и целых пластинах)
12
PLCC2 3014
PLCC2 4014
PLCC2 5630
PLCC2 3020
PLCC2 3528
PLCC2 2835
Силовая версия 3528
с теплоотводом
13
Особенности:
Ток управления 60 мA
Обратное напряжение 2.9 - 3.3 В
Корпус стандарта PLCC-2 3020
12 Лм световой поток
Бледно-желтый рассеиватель
Угол обзора 120°
Применение:
Декоративное освещение
Подсветка приборных панелей
Сигнальное освещение
Навигационное освещение
14
LED Product Application Summary
Part #
Package
lm
Indication
Décor
PLW138003
PLW111020
PLW114050
PLW115050
PLW11B050
PLW11C050
PLW115090
PLW11A090
PLW11A170
PLW116360
1005
3528
3020
2835
3014
4014
2835
5630
5630
3535
0.7
6
12
12
12
12
18
20
30
80
x
x
x
x
x
x
x
x
x
die size
(um)
mW
Indication
Décor
180x180
300x300
550x550
630x630
1000x1000
3
20
50
90
360
x
x
x
x
x
PLB030003
PLB010020
PLB010050
PLB010090
PLB010360
Application
Channel
Bulkhead Guidance
Letter
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
Application
Channel
Bulkhead Guidance
Letter
x
x
x
x
x
x
Auto
x
x
x
x
x
Auto
x
x
x
x
Tube
Troffer
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
Tube
Troffer
x
x
x
x
x
15
5630 & 3535 180m/W
CoB 150lm/W
3030, 3014 & 4014 150lm/W
5630 & 3535 150lm/W
3020 & 2835 125lm/W
5630 & 3535 125lm/W
3528 100lm/W
3030 100lm/W
3535 100lm/W
5630 100lm/W
3020 100lm/W
≤ 100
lm/W
Jun
2014
Jul
≤ 125
lm/W
Aug
Sep
Oct
≤ 150
lm/W
Nov
Dec
Jan
Технологические
этапы
≤ 180
lm/W
Feb
Mar
Apr
May
Jun
Jul
Aug
Sep
Oct
Nov
Dec
2015
16
Plessey мировой лидер и обладает собственной GaN-on-Si технологией для
светодиодов
Современные производственные возможности
Прорывная технология, как никогда подходит для быстро растущего рынка
Имеет большую историю и мировое признание бренда
Собственный дизайн центр новых технологий
17
Спасибо за внимание !
Иван Медведев
[email protected]
18