close

Вход

Забыли?

вход по аккаунту

Какой договор можно заключить с работником В;pdf

код для вставкиСкачать
Адкрытае акцыянернае
таварыства «Планар-СО»
Открытое акционерное общество
«Планар-СО»
(ААТ «Планар-СО»)
(ОАО «Планар-СО»)
Автомат присоединения кристаллов ЭМ-4025АМ-3
Установка присоединения кристаллов ЭМ4025АМ-3
предназначена
для
монтажа
полупроводниковых кристаллов и компонентов
методом эвтектической пайки, монтажа на клей и
припой при сборке ИС, многокристальных
приборов, ГИС, СВЧ-приборов и других изделий
электронной техники.
Размеры присоединяемых кристаллов –
минимальные 0.4 х 0.4 мм, максимальные –
10 х 10 мм. Соотношение сторон присоединяемых
кристаллов от 1:1 до 1:15.
Установка оснащена 8-инструментальной револьверной головкой, нагреваемым
рабочим столом с двумя зонами нагрева, пневмодозатаром для нанесения клея. Привод
вертикального перемещения по координате Z обеспечивает «мягкое» касание при монтаже
кристаллов из материалов соединений типа AIIIBV.
В основе работы установки лежит возможность выполнения по заданной программе
операций захвата кристаллов и других компонентов из накопителей, дозирования клея и
присоединения кристаллов и компонентов к монтажным площадкам корпусов и плат.
Захват кристаллов осуществляется вакуумом с предметных столиков и многорядных
ячеистых кассет. Максимальное количество устанавливаемых на плите ячеистых кассет – 8
шт, предметных столиков – 2 шт. или с липкого носителя пластин диаметром до 150 мм при
соответствующей переналадкой установки.
Технические характеристики
Производительность
Размер присоединяемы кристаллов
Количество инструментов захвата кристаллов
Воспроизводимость позиционирования координатных столов
по координатным Х, У
Рабочее поле перемещения координатного стола
Диапазон регулирования усилия сжатия соединяемых
элементов
Диапазон регулирования температуры нагрева рабочих зон
нагреваемого рабочего столика (отдельно для каждой зоны)
Погрешность позиционирования револьверной головки по
координате Z в диапазоне перемещения от 0 до 9 мм
Погрешность присоединения кристаллов:
- по координате Х,Y
- по углу
Потребляемая электрическая мощность
Габаритные размеры:
Длина
Ширина
высота
2000 крист./час
от 0.4×0.4 до 10×10 мм
8
5 мкм
400×200 мм
от 0.8 до 5.0 Н
от 20 до 450°С
± 0.05 мм
± 0.055 мм
±5°
не более 0.5 кВт
790 мм
780 мм
500мм
1/--страниц
Пожаловаться на содержимое документа