close

Вход

Забыли?

вход по аккаунту

PDF (99,8 КБ) - Формула Единства;pdf

код для вставкиСкачать
РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ
(19)
RU
(11)
(13)
2 521 610
C2
(51) МПК
H01J 9/02 (2006.01)
B82B
3/00 (2006.01)
ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА
ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ
(12) ОПИСАНИЕ
(21)(22) Заявка:
ИЗОБРЕТЕНИЯ К ПАТЕНТУ
2012125230/07, 18.06.2012
(24) Дата начала отсчета срока действия патента:
18.06.2012
(43) Дата публикации заявки: 27.12.2013 Бюл. № 36
(45) Опубликовано: 10.07.2014 Бюл. № 19
RU 2360321С2, H01J 21/10 , 27.06.2007, с.8-10.
RU 2240623C2, 20.11.2004. RU 2425387C1,
27.07.2011. US 7545088B2, 09.06.2009
2 5 2 1 6 1 0
R U
(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДМ-КАТОДА
(57) Реферат:
Способ
изготовления
МДМ-катода
предназначен для повышения плотности тока
эмиссии и однородности ее распределения по
поверхности. На подложку последовательно
осаждается металлический нижний электрод на
основе пленки молибдена, затем два слоя
резистов, в которых формируется рисунок с
помощью электронно-лучевой литографии, затем
Стр.: 1
напыляется сплошная пленка молибдена.
Наноострийная структура получается путем
«взрыва» резистивной маски в виде пирамидок с
основанием 260 нм, вершиной 40 нм, высотой 250
нм и плотностью 3·108 см-2. Технический
результат
повышение
равномерности
распределения эмиссионных центров и плотности
тока эмиссии. 2 ил.
C 2
C 2
Адрес для переписки:
634050, г.Томск, пр. Ленина, 40, ТУСУР,
патентно-информационный отдел
2 5 2 1 6 1 0
(56) Список документов, цитированных в отчете о
поиске: RU 107399U1, H01J9/02, 10.08.2011.
(73) Патентообладатель(и):
Федеральное государственное бюджетное
образовательное учреждение высшего
профессионального образования "Томский
государственный университет систем
управления и радиоэлектроники" (ТУСУР)
(RU)
R U
Приоритет(ы):
(22) Дата подачи заявки: 18.06.2012
(72) Автор(ы):
Гребнева Юлия Юрьевна (RU),
Данилина Тамара Ивановна (RU),
Троян Павел Ефимович (RU),
Анищенко Екатерина Валентиновна (RU)
C 2
C 2
2 5 2 1 6 1 0
2 5 2 1 6 1 0
R U
R U
Стр.: 2
RUSSIAN FEDERATION
(19)
RU
(11)
(13)
2 521 610
C2
(51) Int. Cl.
H01J 9/02 (2006.01)
B82B
3/00 (2006.01)
FEDERAL SERVICE
FOR INTELLECTUAL PROPERTY
(12) ABSTRACT
(21)(22) Application:
OF INVENTION
2012125230/07, 18.06.2012
(24) Effective date for property rights:
18.06.2012
(43) Application published: 27.12.2013 Bull. № 36
(45) Date of publication: 10.07.2014 Bull. № 19
C 2
2 5 2 1 6 1 0
R U
40 nm, height of 250 nm and density of 3·108 cm-2.
EFFECT: improvement in even distribution of
emissive centres and the density of emission current.
2 dwg
Стр.: 3
C 2
(54) METHOD OF MDM-CATHODE MANUFACTURING
(57) Abstract:
FIELD: electricity.
SUBSTANCE: method of MDM-cathode manufacturing is intended to increase a density of emission
current and homogeneity of its distribution along the
surface. A metal lower electrode based on a molybdenum film, then two layers of resistors where the pattern
is generated by means of electron-beam lithography are
deposited in sequence to a substrate, then a continuous
film of molybdenum is sprayed. The nanofluidic structure is obtained by explosion of the resist mask in the
form of pyramids with the base of 260 nm, vertex of
2 5 2 1 6 1 0
Mail address:
634050, g.Tomsk, pr. Lenina, 40, TUSUR, patentnoinformatsionnyj otdel
(73) Proprietor(s):
Federal'noe gosudarstvennoe bjudzhetnoe
obrazovatel'noe uchrezhdenie vysshego
professional'nogo obrazovanija "Tomskij
gosudarstvennyj universitet sistem upravlenija
i radioehlektroniki" (TUSUR) (RU)
R U
Priority:
(22) Date of filing: 18.06.2012
(72) Inventor(s):
Grebneva Julija Jur'evna (RU),
Danilina Tamara Ivanovna (RU),
Trojan Pavel Efimovich (RU),
Anishchenko Ekaterina Valentinovna (RU)
RU
5
10
15
20
25
30
35
40
45
2 521 610 C2
Изобретение относится к области электронной техники, а именно к технологии
изготовления элементов электровакуумных приборов, в частности МДМ-катодов.
Известен МДМ-катод [1], выполненный в виде тонкопленочной системы «металлдиэлектрик-металл» на полированной подложке, отличающийся тем, что для увеличения
эмиссионных параметров катода в качестве диэлектрика используется пористая пленка
диоксида кремния. При этом пористые пленки диоксида кремния (SiO2) с различной
концентрацией пор получались путем магнетронного распыления комбинированной
мишени из кремния и углерода (Si+C) в среде смеси газов Ar+О2. Формирование пор
объясняется протеканием химических реакций углерода с кислородом на подложке с
образованием газового компонента (CO2), который покидает пленку SiO2, разрыхляя
ее и формируя в ней сквозные поры и поры с газовыми включениями. Наличие пор
облегчает формовку МДМ-катода и повышает эмиссионные параметры. Недостатком
такого МДМ-катода является неравномерная эмиссия по поверхности вследствие
неупорядоченного расположения на ней пор.
Целью данного изобретения является повышение плотности тока эмиссии и
однородности ее распределения по поверхности.
Поставленная цель достигается тем, что на подложку последовательно наносится
металлический нижний электрод, на котором формируется регулярная наноострийная
структура с помощью электронно-лучевой литографии и затем наносится диэлектрик
и верхний электрод. Конкретная реализация изготовления МДМ-катода представлена
на Фиг.1.
Пример конкретной реализации способа
На подготовленную кремниевую подложку сплошным слоем напылялась пленка
молибдена толщиной 200 нм, используемая в качестве нижнего электрода (Фиг.1а, б).
Затем на структуру последовательно наносились два слоя резиста методом
центрифугирования (Фиг.1в), затем производились сушка и экспонирование на
электронном литографе Right 150two. С помощью специальной программы GDS II
зарисовывался рисунок, представляющий собой матрицу из 800 элементов (Фиг.1г). В
каждом элементе экспонировался рисунок в виде набора кружков диаметром 200 нм
с расстоянием между ними 700 нм, затем был сформирован рисунок в слоях резиста
путем проявления в специальных растворах (Фиг.1д). Резистивная маска формировалась
таким образом, чтобы полученный в ней профиль, позволял провести последующее
качественное удаление резиста с помощью «взрыва». После проведенных операций
напылялся сплошным слоем молибден толщиной 250 нм (Фиг.1е) и формировалась
наноострийная структура путем «взрыва» резистивной маски (Фиг.1ж).
Полученная регулярная наноострийная структура, сформированная на нижнем
электроде, имела расстояние между остриями 700 нм, и плотность острий составляла
3·108 см-2 (Фиг.2). Одиночное острие представляло собой пирамиду с основанием 270
нм, вершиной 40 нм и высотой 250 нм. На сформированную наноострийную структуру
последовательно напылялся слой диэлектрика толщиной 50 нм и слой молибдена
толщиной 20-30 нм (Фиг.1з).
Изготовленный по предложенному способу МДМ-катод подвергался процессу
формовки и показал равномерное распределение эмиссионных центров, которое
полностью соответствовало сформированному микрорельефу. При этом плотность
тока эмиссии МДМ-катода с наноострийным нижним электродом была более чем в 10
раз выше, чем для МДМ-катода с гладким электродом.
ИСТОЧНИКИ ИНФОРМАЦИИ
Стр.: 4
RU
2 521 610 C2
1. Усов С.П., Сахаров Ю.В., Троян П.Е. МДМ-катод. RU 107399 U1, МПК H01J 9/
02.
5
10
Формула изобретения
Способ изготовления МДМ-катода, включающий в себя нанесение металлического
нижнего электрода, диэлектрика и верхнего электрода, и формовку катода,
отличающийся тем, что с целью увеличения плотности тока эмиссии и однородности
ее распределения по поверхности на нижнем электроде, формируется регулярная
наноострийная структура с плотностью острий на нижнем электроде 3·108 см-2 в
результате последовательного нанесения резистивных слоев и формирования в них
рисунка с помощью электронно-лучевой литографии, осаждения металлической пленки
и формирования наноострийной структуры путем «взрыва» резистивной маски.
15
20
25
30
35
40
45
Стр.: 5
RU
2 521 610 C2
Стр.: 6
1/--страниц
Пожаловаться на содержимое документа