close

Вход

Забыли?

вход по аккаунту

УЧЕБНО - ТЕМАТИЧЕСКИЙ ПЛАН ПО ДИСЦИПЛИНЕ ОСНОВЫ

код для вставкиСкачать
Министерство образования и науки Российской Федерации
ИРКУТСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ
Физико-технический институт
Кафедра
Радиоэлектроники и телекоммуникационных систем
УТВЕРЖДАЮ
Директор ФТИ
___________/ Н.А. Иванов /
"____"____________2013__ г.
УЧЕБНО - ТЕМАТИЧЕСКИЙ ПЛАН
ПО ДИСЦИПЛИНЕ ОСНОВЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ
Направление подготовки:
210400 «Радиотехника»
Направление подготовки:
210400 «Радиотехника»
Профиль подготовки:
«Радиотехнические средства передачи, приема и
обработки сигналов»
Квалификация (степень)
Бакалавр
Форма обучения
очная
Учебный год2013/2014
Составитель плана:
доцент каф. Радиоэлектроники
и телекоммуникационных систем,
к.т.н., доцент _________________ /Фискина М.М./
Иркутск
2013 г.
РАСПРЕДЕЛЕНИЕ СОДЕРЖАНИЯ ДИСЦИПЛИНЫ ПО ВИДАМ ЗАНЯТИЙ
№ пп
1. ЛЕКЦИИ
Разделы и темы дисциплины по учебной программе
Кол-во
часов
Семестр 4
1
1.1
1.2
2
2.1
2.2
2.3
2.4
2.5
2.6
2.7
3
3.1
3.2
3.3
4
4.1
4.2
4.3
5
5.1
5.2
6
Ведение.
Основные положения микроэлектроники и направления ее
развития
Этапы миниатюризации и микроминиатюризации элементов
электронной аппаратуры. История развития микроэлектроники.
Изделия микроэлектроники и классификация интегральных микросхем
(ИМС). Система обозначений интегральных микросхем.
Технологические процессы создания интегральных микросхем
Роль физико-химических процессов в технологии микроэлектронных
устройств и компонентов. Технология получения кремния.
Физико-химические процессы при очистке полупроводниковых
пластин. Процессы получения новой фазы на поверхности кремния.
Литографические процессы. Легирование полупроводников.
Технология
гибридных
ИМС
(ГИМС).
Основные
виды
технологического оборудования.
Технология изготовления биполярных ИМС. Технология изготовления
МДП-ИМС.
Сборка и герметизация полупроводниковых ИМС. Этапы разработки и
проектирования полупроводниковых ИМС.
Современные достижения в технологии ИМС.
Полупроводниковые интегральные микросхемы
Типовые конструкции и структура полупроводниковых ИМС.
Активные
элементы
интегральных
микросхем.
Биполярные
полупроводниковые структуры интегральных микросхем.
Транзисторные структуры n-p-n, разновидности изопланарных
транзисторов. Комплементарные n-p-n и p-n-p транзисторы. Составные
транзисторы.
Многоэмиттерные и многоколлекторные транзисторные структуры.
Итого за семестр
Семестр 5
Гибридные интегральные микросхемы
Конструкция гибридных ИМС. Элементы пленочных гибридных ИМС.
Подложки для гибридных ИМС.
Пленочные резисторы. Пленочные конденсаторы. Индуктивные
элементы в пленочных ИМС. Пленочные проводники и контактные
площадки. Межслойная изоляция.
Методы получения различных конфигураций пассивных элементов
гибридных ИМС. Навесные компоненты гибридных ИМС. Корпусы
для гибридных ИМС.
Качество, надежность и применение интегральных микросхем.
Основные понятия теории качества. Основные понятия теории
надежности.
Методы контроля качества и оценки надежности ИМС. Категории и
виды испытаний ИМС.
Функциональная микроэлектроника
1
2
2
2
4
4
2
4
2
2
4
6
2
36
2
2
2
2
2
6.1
6.2
6.3
6.4
Основные направления развития функциональной микроэлектроники.
Оптоэлектроника.
Акустоэлектроника.
Приборы с зарядовой связью.
Перспективы развитие микроэлектроники.
Итого за семестр
Всего
2. ЛАБОРАТОРНЫЕ РАБОТЫ
Не предусмотрены.
3
2
2
2
17
53
3. ПРАКТИЧЕСКИЕ ЗАНЯТИЯ
№
пп
Название работы
Кол-во
часов
Семестр 4
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
1
2
3
4
5
№
пп
Виды и маркировка ИМС
Полупроводниковые резисторы
Полупроводниковые конденсаторы
Межсоединения, контактные площадки ИМС
Основная схема изготовления полупроводниковых ИМС
Типовые технологии ИМС
Определение кинетических параметров травления кремния
Транзисторные структуры полупроводниковых ИМС
Современные технологии ИМС
Итого за семестр
Семестр 5
Тонкопленочные резисторы
Пленочные конденсаторы
Пленочные индуктивные катушки
Основные направления функциональной микроэлектроники.
Акустоэлектроника
Основные направления функциональной микроэлектроники. Приборы с
зарядовой связью.
Итого за семестр
Всего
3. САМОСТОЯТЕЛЬНАЯ РАБОТА
Вид работ
4
4
4
4
4
4
4
4
4
36
4
4
2
4
3
17
53
Кол-во
часов
Семестр 4
Курсовая работа
Составление отчета и подготовка к защите практических работ.
Подготовка к коллоквиуму.
Самостоятельное изучение разделов курса.
Итого за семестр
Семестр 5
Составление отчета и подготовка к защите практических работ.
Самостоятельное изучение разделов курса.
Итого за семестр
Всего
10
5
5
5
25
6
7
13
38
План составил:
Фискина М.М., доцент каф. РЭ и ТС, к.т.н., доцент
__________________________________________ “____”_________ 2013 г.
План одобрен на заседании кафедры
«Радиоэлектроники и телекоммуникационных систем»
Протокол № ___ от “___” _________________ 2013 г.
Зав. кафедрой _____________ /Ченский А.Г./ “____”_____ 2013 г
Программа одобрена на заседании Методической комиссии
Физико-технического института
Протокол № _____ от “___” _________________ 2013г.
Директор ФТИ ____________________ /Н.А. Иванов / “____”_________ 2013 г.
Руководитель ООП____________ /А.Г. Ченский
/ “____”_________ 2013 г.
1/--страниц
Пожаловаться на содержимое документа