close

Вход

Забыли?

вход по аккаунту

;docx

код для вставкиСкачать
Crocus Nano Electronics
CNE
Russia’s First 300mm
MRAM Fab
Mark Dydyk – CEO
May-13th, 2014
Crocus Nano Electronics
Crocus Nano Electronics
КНЭ
Первое 300мм
Производство MRAM
в России
Марк Дидик – Генеральный директор
May-13th, 2014
Crocus Nano Electronics
Agenda
 History of CNE
 Gen 3 Technology
 Investment Approach
 Project Update
 Operational Excellence Vision
Crocus Nano Electronics
3
Содержание
 История Crocus Technology/КНЭ
 Технология 3-го поколения
 Инвестиционная Стратегия
 Статус продвижения проекта
 Подход к управлению производством
Crocus Nano Electronics
4
General Information
Company
Location
Mission
• “Crocus Nano Electronics” (CNE) – Rusnano and
Crocus Technology S.A. joint venture
• Technopolis “Moskva”, Moscow, Russia
• Establish first high-quality eco-friendly manufacturing for
MRAM-based products at 300mm wafers in Russia
• Two phases of production. First phase 500 wafers/week
capacity by end 2014. Room for expansion to 1,000
wafers/week but will require additional capital
equipment investment.
• Become a model of international MRAM production
company
Crocus Nano Electronics
5
Общая Информация
КНЭ
• “Крокус Нано Электроника” (КНЭ) – совместное
предприятие РОСНАНО и Crocus Technology S.A.
Месторасположение
• Технополис “Москва”, г. Москва, Россия
Цель
• Запустить высококачественное, экологически чистое,
300мм производств магнитной памяти (MRAM) в
России
• Первый этап – выйти на объём в 500 пластин в
неделю. Второй этап – 1000 пластин в неделю (с
дополнительными инвестициями)
• Создать производство, задающее стандарты самого
высокого уровня в производстве MRAM
Crocus Nano Electronics
6
CNE Ownership Structure
50.05%
49.95%
Crocus Nano Electronics
7
Структура Владения КНЭ
50.05%
49.95%
Crocus Nano Electronics
8
History of Crocus Technology/CNE
Spintec got 1-st
patent based on
STT principle
2000
Concept of TASMRAM developped in Spintec
Crocus created to
commercialize MRAM
technology
2004
2005
Spintec transferred to
Crocus exclusive license
for all patents
Venture funds
started financing
2006
2008
Crocus and TowerJazz
declared partnership
Manufacturing
of the 1-st
sample
2009
Crocus and
RUSNANO created JV
– Crocus Nano
Electronics
2010
Bertrand Cambou
appointed as CEO for
Crocus Technology
Industrial manufacturing
for magnetic layers, CNE,
Russia
2011
Crocus and IBM
declared
cooperation
2013
2014
BEOL cycle
implementation at
CNE, Russia
 World leader in the MRAM technology research
 Head quarter in Santa Clara (California, USA), scientific research center in Grenoble (France)
 In 2004 separated from leading laboratory Spintec and continues cooperation with LETI, CEA, CNRS.
 In 2011 Crocus Technology and IBM signed agreement about joint research in area of integration for
MRAM MLU with semiconductors.
 Mass production at CNE has started in 2013
Crocus Nano Electronics
9
История Crocus Technology/КНЭ
Spintec got 1-st
patent based on STT
principle
2000
Concept of TASMRAM developped in Spintec
Crocus created to
commercialize MRAM
technology
2004
2005
Spintec transferred to
Crocus exclusive license
for all patents
Venture funds
started financing
2006
2008
Crocus and TowerJazz
declared partnership
Manufacturing of
the 1-st sample
2009
Crocus and RUSNANO
created JV – Crocus
Nano Electronics
2010
Bertrand Cambou
appointed as CEO for
Crocus Technology
2011
Crocus and IBM
declared
cooperation
Industrial manufacturing
for magnetic layers, CNE,
Russia
2013
2014
BEOL cycle
implementation at
CNE, Russia
 Мировой лидер в области исследований и развития MRAM технологии
 Головной офис находится в Санта Клара (Калифорния, США), научно-исследовательский центр в
Гренобле (Франция)
 В 2004 СТ отделился от основного исследовательского центра Spintec и продолжил сотрудничество с
LETI, CEA, CNRS.
 В 2011 Crocus Technology и IBM подписали соглашение о совместной разработке MRAM и ячейки
Магнитной Логики
 Массовое производство на КНЭ началось в 2013
Crocus Nano Electronics
10
Location Selected
More than 30 sites were discovered
Crocus Nano Electronics
11
Местоположение
Было рассмотрено более 30 площадок для строительства
Crocus Nano Electronics
12
Benefits of Factory Location in Technopolis
 Simplified procedure for obtaining building permits
 Sufficient availability of power
 24 hour customs post
 Lowest corporate income tax 15.5% vs 20%
 Subsidy of interest rate on bank loans in amount equal to discount
rate
 Participation in Moscow City Government subsidization and
incentives programs
Crocus Nano Electronics
13
Преимущества Технополиса “Москва”
 Упрощенная процедура согласования строительных работ
 Электро-мощности, отвечающие техническим требованиям
производства
 Круглосуточный таможенный пост на производстве
 15.5% налог на прибыль компании вместо 20%
 Субсидия на компенсацию процентов по банковскому кредиту
 Участие правительства г. Москва в инвестициях
Crocus Nano Electronics
14
Brief Information On Fab
Total space = 8,195m²
Clean Room = 2,409m²
Transistor Minimum Feature size – 90/65/45 nm
Wafer diameter = 300 mm
Capacity = 500 wafers/week (first phase)
Room for expansion to 1,000 wafers per week in a
subsequent phase.
Technical Specifications
•
Water
–
Deionized Water = 15m³/hour
–
Total Water = 25m³/hour
–
Sewage – 26m³/h
•
Heat – 2700 kW
•
Power
–
500 WPW = 5MW
–
1000 WPW = 8MW
Crocus Nano Electronics
15
Общая Информация о Производстве
Общая площадь = 8,195м²
Чистая комната = 2,409м²
Технология – 90/65/45нм
Диаметр пластин = 200/300мм
Пр. мощность = 500 пл./нед. (на 1-ом этапе)
Потенциал пр. мощности – до 1000 пл./нед.
(последующая фаза)
Технические спецификации
•
Вода
–
–
–
•
•
Де-ионизированная вода = 15м³/час
Общий объём воды = 25м³/час
Канализация – 26м³/час
Энергия – 2700КВт
Эл. Энергия
–
–
Crocus Nano Electronics
500 пл./нед. = 5МВт
1000 пл./нед. = 8МВт
16
Alliances
Technological
Partners
Main
Equipment
CMOS Wafers Suppliers
Crocus Nano Electronics
17
Партнеры
Партнёры по развитию
технологии
Основные
производители
оборудования
Поставщики CMOS
пластин
Crocus Nano Electronics
18
Gen 3 Technology
Crocus signed JDA with IBM in October 2011 to develop Gen 3 MRAM Technology
 Process development underway at the IBM TJ Watson Research facility in Yorktown Heights, NY USA
 TJ Watson MRAM staff has extensive experience with MRAM technology design, process integration,
magnetics and test
 Magnetic (PVD) deposition and device macro characterization done at Crocus’ Grenoble, France facility
 JDA has successfully transferred 90 nm BEOL technology from within IBM to Crocus Technology
 This will insure that CNE has a healthy back end of line
 Development remains to address two key outstanding issues with IBM technology
 Cobalt ferromagnetic liner process development
 Improve magnetic R-H loops by solving the problem with stress induced magnetic anisotropy
Crocus Nano Electronics
19
Технология 3-го Поколения
Crocus Technology подписала соглашение о совместной разработке технологии MRAM 3-го
поколения с IBM в октябре 2011г.
 Разработка технологий производится в лаборатории IBM TJ Watson Research в г. Йорктаун Хэйтс,
Нью-Йорк, США
 Группа специалистов TJ Watson MRAM имеет уникальный опыт в развитии MRAM технологии, дизайна,
интегрировании процесса, магнетизма и тестирования конечных результатов
 Осаждение магнитных слоев (PVD) и макро-характеризация самого продукта производится в
лаборатории Crocus Technology г. Гренобль, Франция
 Уже состоялся успешный трансфер технологии 90нм BEOL на IBM
 Это, гарантированно подтверждает, что Crocus Technology разработала функционирующую BEOL часть
процесса
 На данном этапе остается решить две задачи:


Разработка процесса формирования оболочки кобальта
Улучшение магнитных характеристик снижением напряжений в слоях, вызванных магнитной
анизотропией
Crocus Nano Electronics
20
Gen 3 Technology (Cont.)
 IBM Crocus JDA being extended through end of
2014
 Solve remaining technology issues
 Characterize new security product; Sunspot
 Transfer technology to CNE
Crocus Nano Electronics
21
Технология 3-го Поколения (Прод.)
 Сотрудничество IBM Crocus продлено до конца
2014г. Для осуществления следующих целей:
 Решение существующих задач
 Характеризация нового продукта Sunset
 Трансфер технологии для массового производства
в КНЭ
Crocus Nano Electronics
22
Gen 3 Technology Scheme
SMIC
15nm TaN/50nm Cobalt Cladding
Layer PVD
Field Line/Pad Formation
Strap/Local Bit Line Formation
CNE Stage A
Magnetic Stack & Dot Line Formation
(Deposition, Photolithography, Etch, Passivation)
SMIC/CNE Stage B
Interconnect Formation
MRAM Steps
Al Wiring & Pad Formation
Conventional Steps
Crocus Nano Electronics
23
Схема Процесса 3-го Поколения
SMIC
Field Line/Pad Formation
15nm TaN/50nm Cobalt Cladding Layer PVD
Strap/Local Bit Line Formation
КНЭ Стадия A
Magnetic Stack & Dot Line Formation
(Deposition, Photolithography, Etch, Passivation)
SMIC/КНЭ Стадия B
Interconnect Formation
MRAM Steps
Al Wiring & Pad Formation
Conventional Steps
Crocus Nano Electronics
24
Blue Pearl Technology TEM X-Section
CNE
Stage B
SMIC
CMOS
Crocus Nano Electronics
Blue Pearl Технология TEM X-Section
CNE
Stage B
SMIC
CMOS
Crocus Nano Electronics
CNE Capital Cost Control Approach
Original strategy worked as Planned
 Process Equipment Selection and Procurement
 Used industry experience to anticipate the Book to Bill Ratio
 Strategic mix of new and good used equipment
 Clean Room Construction
 Design a practical, efficient but no thrill fab
 Partnership with Moskvitch
 Selection of a smaller General Designer, Faeth
Crocus Nano Electronics
27
Подход КНЭ к Использованию и Контролю
Инвестиционных Средств
Выбранная стратегия доказывает свою состоятельность
 Выбор оборудования и процедура закупок
 Были задействованы специалисты международного уровня для оценки
и отбора закупаемого оборудования
 Выбран отличный “пакет” нового и обновленного оборудования
 Строительство чистой комнаты
 Чистая комната спроектирована максимально эффективно и компактно
и полностью соответствует производственным требованиям
 Отличное сотрудничество с “Москвичом”
 Небольшая, но очень профессиональная команда Faeth
Crocus Nano Electronics
28
Global Fab Benchmark
Gen3 300mm Capital Cost
CNE is a low cost factory
> Used equipment set
> MLU is a “simple” technology
> “Cost” is a priority
CNE Projected on
industry trend line
700 w/w
2,000 w/w
Crocus Nano Electronics
29
Сравнительный Анализ
3-е Поколение, 300мм - Инвестиции
КНЭ производство с низкой
себестоимостью
CNE Projected on
industry trend line
700 w/w
 MLU это простая и дешевая
технология
 “Пакет” обновленного оборудования
 “Cost” is a priority
2,000 w/w
Crocus Nano Electronics
30
Construction Summary
Update
Total project completion 83%
Main electrical panels connected to
facility power
Raised floor and tool pedestals are
installed
Cleanroom walls are installed
DNS, KLA, Jusung are moved in HEPA
filters turned on for these tools
Plan For Q2
Complete all Stage A tool install. &
hookup by end Q2
Finishing Facility Systems for Stage A
Order phase B equipment, prepare for
rigging and installation
Cleanroom Chase
Jusung Etcher
Crocus Nano Electronics
ASML Pedestals
Статус Строительства Ч. Комнаты
Текущее Положение
Проект завершен на 83%
Подана эл. энергия на основные
электрические щиты Смонтирован
фальшпол и установлены пьедесталы
Установлены перегородки в ЧК
DNS, KLA, Jusung уже в ЧК
HEPA функционируют
Cleanroom Chase
Jusung Etcher
Планы на Q2
Подключить все оборудование для
Стадии А до конца Q2
Запуск всех поддерживающих систем
для этапа А
Разместить заказы на оборудование для
Стадии В и подготовиться к его запуску
Crocus Nano Electronics
ASML Pedestals
Stage A Information
 Scope
 Magnetic Layer Module
 Equipment




Singulus PVD Deposition
193nm Photolithography
Jusung Magnetic Etch/Encapsulation
Metrology (Resist thickness, CD, Overlay)
 Rigging complete – 5/16/2014
 Hookup complete – 6/17/2014
 Full Production – 2/9/2015
Crocus Nano Electronics
33
Стадия А – Общая Информация
 Сегмент технологического процесса
 Модуль Магнитного слоя
 Оборудование




Singulus PVD – Осаждение магнитного “сэндвича”
ASML 193nm - Фотолитография
Jusung - Травление и инкапсуляция магнитных слоев
Метрология - Толщина слоев, CD, Overlay
 Подготовка к ввозу оборудования – 4/16/2014
 Завершение подключения оборудования – 6/17/2014
 Начало производства – 2/9/2015
Crocus Nano Electronics
34
Stage B Information
 Scope
 90nm dual damascene backend of line CMOS including magnetic cladding and strap
 Equipment










PECVD
PVD
CMP
Electroplating
Dielectric and Metal Etch
Receive equipment – 07/31/2014
Hookup complete – 10/24/2014
Process transfer complete – 6/17/2014
Risk Production – 04/15/2015
Full Production – 08/15/2015
Crocus Nano Electronics
35
Стадия В – Общая Информация
 Сегмент технологического процесса
 Формирование медной металлизации и магнитных ячеек по технологии 90нм
на КМОП пластинах
 Оборудование










PECVD – Осаждение пленок TEOS и SiN
PVD – Осаждение металлических слоев
CMP – Химико-Механическая полировка
Electroplating – Электролиз меди
Dielectric and Metal Etch – Травление металлических и диэлектрических слоев
Поставка оборудования – 07/31/2014
Завершение этапа подключения оборудования – 10/24/2014
Трансфер технологии – 6/17/2014
Первичное производство – 04/15/2015
Начало массового производства – 08/15/2015
Crocus Nano Electronics
36
Operational Excellence Vision
CNE Management team has an extensive experience in semiconductors industry with strong
background in technology transfer and operations
 Construction and Tool Installation Phase

 Currently emphasizing strong cost control and adherence regarding facilities and process changes
Qualification Phase

Will utilize white papers & change control board to certify technology qualification and process
changes
o

Higher risk level changes will involve customer notification and approval
Will train professional workforce in use of statistics for characterization, experimental design
and process control
o
o
o
o
Develop staff to get Six Sigma Green and Black Belts certification
Use JMP software for statistical analysis
Implement SPC charts for controlling all key parameters
Set a target of Cpk >1.33 for all process KPIs
Crocus Nano Electronics
Высокоэффективное Производство - Видение
Руководящий состав КНЭ имеет обширный опыт в полупроводниковой индустрии,
освоении новых технологий и оптимизации полупроводникового производства
 Этап строительства, ввоза и подключения оборудования
 Основное внимание уделяется контролю освоения бюджетных средств, срокам и качеству
выполняемых работ
 Квалификация технологического процесса
 Использование проверенных методологий, таких как: “White papers” & “Change Control
Board” для гарантии качества
o
o
o
o
o
o
Комплексные изменения будут дублироваться нашими клиентами
Статистический анализ будет использован для построения экспериментов и контроля качества
Инженеры и технологи пройдут аттестацию по программе Six Sigma Green and Black Belts
Будет внедрена программа JMP для статистического анализа
Внедрение системы SPC для мониторинга критических параметров
Поставлена задача поддерживать уровень Cpk >1.33 для всех критических параметров
Crocus Nano Electronics
Operational Excellence Vision (Cont.)

Ramp Up Phase

Will drive lean programs for cost reduction, efficiency improvement and waste elimination
o
o
o
o


Implementation of Bottleneck management BKM
TPM (Total Productive Maintenance)
Lean manufacturing mindset
Kaizen events, etc.
Will implement KPIs (Key Performance Indicators), monitor them and drive continuous
improvement
High level KPIs
o
o
o
o
o
o
o
Wafer Cost
Yield
CT, OTD
Fab utilization
Fab output
OEE
Productivity
Crocus Nano Electronics
Высокоэффективное Производство – Наращивание
Объёмов Производства
 Руководство КНЭ намерено ориентироваться на внедрение передовых методологий
управления производством




Bottleneck management BKM
TPM (Total Productive Maintenance)
Lean manufacturing mindset
Kaizen events, etc.
 Использование индикаторов, с помощью которых будет производится мониторинг
производственного процесса в режиме реального времени, позволит быстро находить
возможности для постоянного повышения эффективности
 High level KPIs







Wafer Cost
Yield
CT, OTD
Fab utilization
Fab output
OEE
Productivity
Crocus Nano Electronics
Summary
 CNE is a joint venture between Crocus Technology and Rusnano with
thermal MRAM technology origins in Spintec labs in Grenoble, France
 Technology development has made significant progress at IBM and we
will successfully transfer it to CNE
 JDA extended through end 2014 to solve remaining issues
 Competitive wafer cost has been a key priority for CNE during
construction, capital equipment procurement and installation phases
 Cleanroom construction is on track
 Phase A tool hookup complete June 2014
 Phase B installation October 2014
 Risk production for phase B April 2015
 Going forward, our culture will focus on operational excellence
Crocus Nano Electronics
41
Заключение
 КНЭ – это совместное предприятие между Crocus Technology и РОСНАНО, в основе
которого лежит технология Термо MRAM, разработанная в лаборатории Spintec labs,
расположенной в г. Гренобль, Франция
 Последующее развитие технология получила при содействии IBM и в ближайшее
время будет успешно внедрена в производство в КНЭ
 Соглашение о сотрудничестве с IBM продлено до конца 2014 года с целью завершения
выполнения поставленных задач
 Конкурентоспособная цена производимой продукции являлась ключевым фактором на
стадии строительства, приобретения и подключения оборудования
 Работы по строительству ЧК выполняются в соответствии с запланированным
графиком
 Завершение подключения оборудования стадии A ожидается в июне 2014
 Подключения оборудования Стадии B - в октябре 2014
 Начало производства стадии B - в апреле 2015
 В дальнейшем наша миссия - высокоэффективное производство
Crocus Nano Electronics
42
1/--страниц
Пожаловаться на содержимое документа