close

Вход

Забыли?

вход по аккаунту

код для вставкиСкачать
1. ЦЕЛИ И ЗАДАЧИ ВСТУПИТЕЛЬНЫХ ИСПЫТАНИЙ
ПО НАПРАВЛЕНИЮ «ЭЛЕКТРОНИКА И НАНОЭЛЕКТРОНИКА»,
магистерская программа «Приборы и устройства
в микро- и наноэлектронике»
Собеседование определяет уровень подготовки абитуриентов, их
кругозор и эрудицию, умение научно-обосновано и творчески решать задачи
исследовательского и производственного характера.
2.СОДЕРЖАНИЕ РАБОЧЕЙ ПРОГРАММЫ
2.1. Физика полупроводников
2.1.1. Материалы электронной техники
Классификация материалов электронной техники. Зонная структура
проводников,
полупроводников
и
диэлектриков.
Классификация
проводниковых
материалов.
Правило
Маттисена.
Классификация
полупроводниковых материалов. Химическая связь, кристаллическая
структура. Закономерности изменения электрофизических свойств.
Элементарные полупроводники. Химическая связь, кристаллическая
структура, электрофизические свойства кремния и германия. Маркировка
кремния и германия. Полупроводниковые соединения типа А3В5. Химическая
связь,
кристаллическая
структура,
электрофизические
свойства.
3 5
Полупроводниковые соединения типа А В . Применение соединений.
Полупроводниковые
соединения
типа
А2В6.
Химическая
связь,
кристаллическая структура, электрофизические свойства, влияние на них
примесей и дефектов структуры. Полупроводниковые соединения типа А2В6.
Применение соединений. Полупроводниковые соединения типа А4В6.
Химическая связь, кристаллическая структура, электрофизические свойства.
Полупроводниковые соединения типа А4В6. Применение соединений.
Полупроводниковые твердые растворы. Условия образования твердых
растворов
с
неограниченной
растворимостью.
Закон
Вегарда.
Электрофизические свойства полупроводниковых твердых растворов.
Полупроводниковые твердые растворы. Преимущества использования
полупроводниковых твердых растворов перед полупроводниковыми
соединениями. Свойства основных пассивных диэлектриков, используемых в
микроэлектронике.
2.1.2. Физика конденсированного состояния
Типы межатомных связей и их влияние на свойства кристаллов.
Симметрия и структура кристаллов. Индексы Миллера. Дифракционные
методы определения параметров кристаллов. Дефекты в твердых телах и их
влияние на свойства кристаллов. Физическая природа упругой и
пластической деформаций твердых тел. Теплоемкость твердых тел и
тепловое расширение. Механизмы взаимодействия света с твердым телом.
Законы сохранения. Фотолюминесценция твердых тел. Фотопроводимость
полупроводников. Физические свойства диэлектриков и механизмы
поляризации. Пьезоэлектрический и сегнетоэлектрический эффекты в
кристаллах. Магнитные свойства твердых тел, виды магнетиков.
Сверхпроводимость твердых тел.
2.1.3. Физические основы электроники
Электронно-дырочный переход в состоянии термодинамического
равновесия. Прямое и обратное включение р-п перехода. Теоретическая и
реальная вольт-амперные характеристики р-п перехода. Пробой р-п перехода.
Основные виды полупроводниковых диодов: выпрямительный, стабилитрон,
варикап. Их характеристики и параметры. Биполярный транзистор. Принцип
действия, схемы включения, характеристики. Тиристор. Принцип действия,
характеристики. МДП-структура, режимы смещения. Вольт-фарадная
характеристика МДП-структуры. Полевой транзистор с управляющим р-п
переходом, принцип действия, основные характеристики. МДП-транзистор с
индуцированным каналом, принцип действия, основные характеристики.
МДП-транзистор с встроенным каналом, принцип действия, основные
характеристики. Светоизлучающий диод, принцип действия, характеристики.
Полупроводниковые лазеры, типы, особенности устройства, основные
характеристики. Активные и пассивные элементы полупроводниковых
интегральных микросхем. Фотоприемники: фотодиоды, фототранзисторы,
фоторезисторы, фототиристоры.
2.2. Проектирование и технология полупроводниковых приборов
2.2.1. Основы проектирования электронной компонентной базы
Общая характеристика процесса проектирования. Виды и способы
проектирования электронной компонентной базы. Маршруты и этапы
проектирования. Восходящее и нисходящее проектирование. Методы и
этапы проектирования. Модели электронной компонентой базы на различных
этапах проектирования. Анализ и проектирование основных вариантов МОП
инверторов.
Описание
стандартного
технологического
маршрута
проектирования МОП и КМОП. Машинное моделирование логических схем.
Модели сигналов и модели базовых логических элементов. Алгоритмы
синхронного и асинхронного моделирования. Тестирование ИС: основные
понятия, виды неисправностей. Классификация методов тестового
диагностирования цифровых ИС. Основные алгоритмы создания тестов.
2.2.2. Основы технологии электронной компонентной базы
Механическая обработка полупроводниковых материалов: резка,
шлифовка, полировка. Химическая обработка полупроводников. Способы
травления и промывки. Фотолитография. Основные процессы. Эпитаксия.
Основные закономерности. Легирование в процессе эпитаксии. Диффузия.
Физические основы и техника проведения. Ионная имплантация.
Электрохимическая обработка поверхности полупроводников. Термическое
испарение.
Катодное
распыление.
Сборка
и
герметизация
полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Технология
изготовления структур на полупроводниковых соединениях типа А3В5.
Технология изготовления биполярных интегральных микросхем. Технология
МДП интегральных микросхем.
2.2.3. Схемотехника
Классификация сигналов. Аналоговые, дискретные и цифровые
сигналы. Способы представления цифровой информации. Арифметические
коды. Основы булевой алгебры. Логические функции. Способы минимизации
и декомпозиции функций. Логические элементы, их основные
характеристики и параметры. Типовые каскады логических схем. Логические
схемы на n-канальных и комплементарных МДП-транзисторах, анализ их
характеристик. Комбинационные схемы. Шифраторы и дешифраторы.
Мультиплексоры и демультиплексоры. Полусумматоры и сумматоры.
Комбинационные сумматоры. Многоразрядные сумматоры с ускоренным
переносом. Понятие о последовательностных логических схемах. Триггеры
как простейшие логические автоматы. Бистабильные ячейки памяти, анализ
работы. Основные типы триггеров. Регистры. Счетчики импульсов.
Классификация ИС полупроводниковой памяти. Общая структура ИС
оперативной памяти, их основные параметры. Статические и динамические
оперативно запоминающие устройства (ОЗУ) с произвольной выборкой. ИС
постоянных запоминающих устройств (ПЗУ). Программируемые (ППЗУ) и
репрограммируемые ПЗУ (СППЗУ). Структура и элементы памяти ПЗУ.
Принципы аналоговой схемотехники. Дифференциальные каскады (ДК).
Оперативные усилители (ОУ) и аналоговые устройства на их основе.
Схемотехнические варианты ОУ. Основные характеристики и параметры ОУ.
Основные
способы
включения
ОУ.
Суммирующие
усилители.
Логарифмические преобразователи. Интеграторы и дифференциаторы.
Аналого-цифровые и цифро-аналоговые преобразователи (АЦП и ЦАП).
Простейшие варианты ЦАП. Современные конструкции ЦАП. Основные
параметры ЦАП. Классификация АЦП. АЦП последовательного
приближения. Сигма-дельта АЦП.
Рекомендуемая литература
1. Пасынков В.В., Сорокин В.С. Материалы электронной техники.
С.Пб.: Лань, 2004.
2. Новокрещенова Е.П., Свистова Т.В. Материалы и элементы
электронной техники: учеб. пособие. Воронеж: ВГТУ, 2010. Ч. 1.
3. Рембеза С.И. Физика твердого тела: учеб. пособие. Воронеж: ВГТУ,
2007. Ч. 1.
4. Рембеза С.И. Физика твердого тела: учеб. пособие. Воронеж: ВГТУ,
2007. Ч. 2.
5. Павлов П.В., Хохлов А.Ф. Физика твердого тела. М.: Высш. шк.,
2011.
6. Шалимова К.В. Физика полупроводников. С.Пб.: Лань, 2014.
7. Свистова Т.В. Твердотельная электроника: учеб. пособие. Воронеж:
ВГТУ, 2006. Ч. 1.
8. Свистова Т.В. Твердотельная электроника: учеб. пособие. Воронеж:
ВГТУ, 2006. Ч. 2.
9. Свистова Т.В. Микроэлектроника: учеб. пособие. Воронеж: ВГТУ,
2011.
10. Свистова Т.В. Квантовая и оптическая электроника: учеб. пособие.
Воронеж: ВГТУ, 2009.
11. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы: учебник
для вузов. СПб: Лань, 2014.
12. Строгонов А.В., Арсентьев А.В., Русских Д.В. Основы
проектирования интегральных схем: учеб. пособие. Воронеж: ВГТУ, 2007.
Ч. 1.
13. Строгонов А.В., Русских Д.В., Арсентьев А.В., Кошелева Н.Н.
Основы проектирования интегральных схем: учеб. пособие. Воронеж: ВГТУ,
2007. Ч. 2.
14. Коледов
Л.А.
Технология
и
конструкции
микросхем,
микропроцессоров и микросборок: учеб. пособие. СПб: Лань, 2014.
15. Бордаков Е.В., Пантелеев В.И. Проектирование и конструирование
полупроводниковых приборов и интегральных микросхем: учеб. пособие.
Воронеж: ВГТУ, 2004.
16. Бордаков Е.В., Пантелеев В.И. Проектирование топологии и
технологии интегральных микросхем: учеб. пособие. Воронеж: ВГТУ,
2005.Ч. 1.
17. Бордаков Е.В., Пантелеев В.И. Проектирование топологии и
технологии интегральных микросхем: учеб. пособие. Воронеж: ВГТУ,
2005.Ч. 2.
18. Игнатов А.Н. Микросхемотехника и наноэлектроника: учеб.
пособие. СПб: Лань, 2011
19. Миленина С.А., Миленин Н.К. Электротехника, электроника и
схемотехника: учебник и практикум для академического бакалавриата. М.:
Юрайт. 2014.
1/--страниц
Пожаловаться на содержимое документа