close

Вход

Забыли?

вход по аккаунту

...МСФО (IAS) 29 Финансовая отчетность в условиях;pdf

код для вставкиСкачать
Открытое акционерное общество
Научно-исследовательский институт
точного машиностроения
Основное направление деятельности:
Разработка и производство
технологического оборудования для
микро-, нано- радиоэлектроники,
СВЧ-техники и солнечной энергетики.
Достижения:
За 51 год разработано и изготовлено
свыше 3000 типов оборудования для
промышленности, науки и образования.
Генеральный директор
В.В. ОДИНОКОВ, профессор, д.т.н.
Разработка и производство научного и опытно-промышленного технологического
оборудования
Вакуумно-плазменное оборудование
Нанесение
пленок
В плазме
магнетронного
разряда
Сухая
обработка
поверхности
в плазме ВЧ
разряда
Ионное
травление и
очистка
поверхности
Осаждение
пленок из
газовой
среды в
плазме ВЧ
разряда
Плазмохимическое
осаждение с
диодной
системой
Физико-термическое оборудование
Термообработ
ка при 3002100 °С
(Групповая
обработка)
Выращивание
монокристалл
ических
структур
(Эпитаксия)
Прецизионная
очистка
материалов
методом
ректификации
Отжиг
Из жидкой среды
при 300-1250 °С
Очистка газов
Окисление
Из газовой
среды
при 550-2500 °С
Очистка
жидкостей
(PECVD)
Термическое
испарение
Плазмохимическое
травление
С источником
индуктивно
связанной
плазмы
(ICPPECVD)
Электроннолучевое
испарение
Плазменнодуговое
испарение
Реактивноионное
травление
(RIE)
С источником
индуктивно
связанной
плазмы
(ICPRIE)
Диффузия
Комплект малогабаритных вакуумных установок для
нанесения пленок
МВУ ТМ ТИС
МВУ ТМ ТИС Т
Особенности установок:
МВУ ТМ Магна
 Оснащение несколькими технологическими
узлами (магнетроны / испарители)
МВУ ТМ Магна Т
 Безмасляная система откачки
 Обработка подложек Ø 150, 100, 75 мм.
 Микропроцессорная система управления
Малогабаритное оборудование для исследовательских
центров и технических институтов .
Комплект высокопроизводительных установок
для нанесения пленок
Магна ТМ 5
Магна ТМ 29
ЭЛУ ТМ 5
Особенности установок:
 Шлюзовая система загрузки-выгрузки пластин
 Обработка подложек диаметром до 200 мм
 Безмасляная система откачки
 Микропроцессорная система управления
Оборудование для
промышленного производства
Вакуумная установка нанесения многослойных
плёнок на рулонный материал
Особенности установки:
Магна ТМ Р
 Магнетронная
система
нанесения пленок
 Двустороннее нанесение пленок
на рулонный материал шириной до
150мм
 Безмасляная система откачки
 Микропроцессорная
система
управления
Вакуумно-плазменное оборудование для технологии формирования
слоёв тонкоплёночных аккумуляторов (ТА)
Комплект малогабаритных вакуумных установок для
сухой обработки поверхности в плазме ВЧ разряда
МВУ ТМ Плазма-ПХТ ICP-T
МВУ ТМ Плазма-ПХТ-Т
Особенности установок :
МВУ ТМ Плазма-РИТ-Т
 Оснащение несколькими технологическими узлами
(диодный источник плазмы / индуктивный источник плазмы)
 Безмасляная система откачки
 Обработка подложек Ø 150, 100, 75 мм.
 Микропроцессорная система управления
Малогабаритное оборудование для исследовательских
центров и технических институтов
Комплект малогабаритных вакуумных установок для
осаждения пленок из газовой среды в плазме ВЧ разряда
МВУ ТМ
Изофаз-CVD
МВУ ТМ
Изофаз-CVD ICP
Особенности установок :
 Оснащение несколькими технологическими узлами
(диодный источник плазмы / индуктивный источник плазмы)
 Безмасляная система откачки
 Обработка подложек Ø 150, 100, 75 мм.
 Микропроцессорная система управления
Малогабаритное оборудование для исследовательских
центров и технических институтов
Комплект установок индивидуальной обработки
пластин со шлюзовой загрузкой
Магна ТМ-200
Плазма ТМ-200
Изофаз ТМ-200
Особенности установок :
 Шлюзовая система загрузки-выгрузки пластин
 Обработка подложек до Ø 200 мм
 Безмасляная система откачки
 Микропроцессорная система управления
Промышленное и исследовательское
оборудование
Кластерная 6-ти позиционная вакуумная установка
(Создана в рамках Программы Союзного государств «Нанотехнология-СГ»)
Вакуумное оборудование для нанотехнологий
Кластерная 6-ти позиционная вакуумная установка
Состав установки:
 Загрузочно-транспортная система
с блоком питания и управления.
 Модуль магнетронного напыления
проводящих материалов
 Модуль магнетронного напыления
диэлектриков
 Модуль выращивания нанотрубок
 Модуль плазменного травления
 Модуль
нанесения
и
сушки
электронорезиста
 Модуль
сканирующего
туннельного микроскопа
Вакуумное оборудование для нанотехнологий
Комплект малогабаритных установок для
термообработки при 300-2100 °С
Изотрон ТМ
Отжиг ТМ
Изоплаз ТМ
Особенности установок :
 Кварцевый реактор




Оксид ТМ
Трехсекционный спиральный нагреватель
Обработка подложек диаметром до 100 мм
Безмасляная система откачки
Микропроцессорная система управления
Промышленное и исследовательское
физико-термическое оборудование
Установка выращивания монокристаллических структур
из жидкой фазы
КОМПЛЕКТ МАЛОГАБАРИТНОГО
ФИЗИКО-ТЕРМИЧЕСКОГО ОБОРУДОВАНИЯ
Особенности установки:
Изотрон
Отжиг
Эпигран ТМ
 Диапазон рабочих
температур 300–1250°С
 Автоматический цикл
подготовки расплава
 Реализация в установке
физико-термических процессов:
- сушка,
Изоплаз
- отжиг,
- диффузия,
- спекание структур и т.д.
 Микропроцессорная система
управления
Оксид
Промышленное и исследовательское
физико-термическое оборудование
Комплект установок для прецизионной очистки
неорганических материалов методом ректификации
Особенности установок
Х
Л
О
Р
И
Д
Ы
 Салют 1 - получение SiCl4
 Салют 2 - получение SiHCl3
 Салют 3 - получение GeCl4
 Салют 4 - получение AsCl4
 Салют 5 - получение PH3
 Салют 6 - получение SiH4
 Салют 7 - получение SiH4
 Салют 8 - получение NH3
Г
И
Д
Р
И
Д
Ы
Предельная степень очистки 99,99999
Хлорид ТМ
Гидрид ТМ
Оборудование для получения высокочистых
газов и жидкостей методом ректификации
Нанесение биосовместимых покрытий на медицинские
имплантаты вакуумно-плазменными методами
Сердечно-сосудистые имплантаты
Ортопедические имплантаты
Челюстно-лицевые имплантаты
Биоткани и медицинские устройства
Перспективные разработки
ОАО НИИТМ
СХЕМЫ МОДИФИКАЦИЙ МАЛОГАБАРИТНЫХ
ВАКУУМНЫХ УСТАНОВОК ДЛЯ НАНЕСЕНИ ПЛЕНОК
Схемы модификаций МВУ
Малогабаритная вакуумная установка
магнетронного напыления «МВУ ТМ МАГНА»
Назначение:
Нанесение плёнок металлов (Cu, Cr, Al, др.) и
диэлектриков (SiO2 ,Si3N4, др.) методом
магнетронного распыления.
Особенности:
• Количество магнетронов в установке от 1 до 3;
• Одновременная обработка подложек в одном
технологическом цикле:
- 2шт – Ø 150 мм;
- 4шт – Ø 60 мм, Ø 76 мм Ø 100 мм;
- 8шт – 60х48 мм;
• Автоматизированная система управления;
• Безмасляная вакуумная система откачки
(агрегат/ ТМН 300);
• Мощность потребления не более 5,5 кВт;
• Площадь занимаемая установкой ~1,5м2.
МВУ ТМ МАГНА
Малогабаритная вакуумная установка
магнетронного напыления «МВУ ТМ МАГНА»
Схема систем установки:
•Рабочая камера;
•Планетарный подложкодержатель;
•Вращающийся экран - цилиндрическая
заслонка;
•Магнетронные распылительные устройства
(магнетроны), в том числе распыляемая
мишень;
• Источники питания магнетронов;
• Модуль подготовки поверхности пластин;
• Вакуумная система;
• Газовая система – включает электронный регулятор
расхода газа, ручной запорный кран, регулятор
давления, манометр, электромагнитный клапан;
• Система водяного охлаждения;
• Микропроцессорная система управления.
МВУ ТМ МАГНА
Малогабаритная вакуумная установка
термического испарения «МВУ ТМ ТИС»
Назначение:
Нанесение плёнок методом термического
испарения.
Особенности:
• Одновременная обработка подложек в одном
технологическом цикле:
- 2шт – Ø 150 мм;
- 4шт – Ø 60 мм, Ø 76 мм Ø 100 мм;
- 8шт – 60х48 мм;
• Автоматизированная система управления;
• Безмасляная вакуумная система откачки
(агрегат/ ТМН 300);
• Мощность потребления не более 5,5 кВт;
• Площадь занимаемая установкой ~ 1,5м2.
МВУ ТМ ТИС
Малогабаритная вакуумная установка
термического испарения «МВУ ТМ ТИС»
Схема систем установки:
•Рабочая камера;
•Планетарный подложкодержатель;
•Вращающийся экран - цилиндрическая
заслонка;
•Испарители;
• Источники питания магнетронов;
•Модуль подготовки поверхности пластин;
•Вакуумная система;
•Газовая система – включает электронный регулятор
расхода газа, ручной запорный кран, регулятор
давления, манометр, электромагнитный клапан;
•Система водяного охлаждения;
•Микропроцессорная система управления.
МВУ ТМ ТИС
Малогабаритная вакуумная установка
Реактивно-ионного травления «МВУ ТМ ПЛАЗМА РИТ»
Назначение:
Травление тонких диэлектрических и
металлических слоев, а также
полупроводниковых материалов методом
реактивно-ионного травления.
Особенности:
• индивидуальная обработка подложек до
Ø 150 мм (100х100мм);
• Измерение ВЧ смещения на ВЧ электроде –
подложкодержателе в диапазоне от 0 до 1000 В;
• Автоматизированная система управления;
• Безмасляная вакуумная система откачки
(агрегат / ТМН 300);
• Мощность потребления не более 3 кВт;
• Площадь занимаемая установкой ~ 1,5м2.
МВУ ТМ ПЛАЗМА РИТ
Малогабаритная вакуумная установка
Реактивно-ионного травления «МВУ ТМ ПЛАЗМА РИТ»
Схема систем установки:
• Рабочая камера;
• Охлаждаемый электрод подложкодержатель;
• ВЧ генератор 13,56 МГц, 300 Вт;
• Устройство согласования
генератора с нагрузкой;
• Вакуумная система;
• Газовая система – включает
электронный регулятор расхода
газа, ручной запорный кран,
регулятор давления, манометр,
электромагнитный клапан;
• Система водяного охлаждения;
• Микропроцессорная система
управления.
МВУ ТМ ПЛАЗМА РИТ
Малогабаритная вакуумная установка
плазмохимического травления с диодной системой
«МВУ ТМ ПЛАЗМА ПХТ»
Назначение:
Плазмохимическое селективное травление
диэлектрических и металлических пленок.
Особенности:
• индивидуальная обработка подложек до
Ø 150 мм (100х100мм);
• Измерение ВЧ смещения на ВЧ электроде –
подложкодержателе в диапазоне от 0 до 1000В;
• Автоматизированная система управления;
• Безмасляная вакуумная система откачки
(агрегат/ ТМН 300);
• Мощность потребления не более 3 кВт;
• Площадь занимаемая установкой ~ 1,5м2.
МВУ ТМ ПЛАЗМА ПХТ
Малогабаритная вакуумная установка
плазмохимического травления с диодной системой
«МВУ ТМ ПЛАЗМА ПХТ»
Схема систем установки:
• Рабочая камера;
• Охлаждаемый электрод подложкодержатель;
• ВЧ генератор 13,56 МГц, 300 Вт;
• Устройство согласования
генератора с нагрузкой;
• Вакуумная система;
• Газовая система – включает
электронный регулятор расхода
газа, ручной запорный кран,
регулятор давления, манометр,
электромагнитный клапан;
• Система водяного охлаждения;
• Микропроцессорная система
управления.
МВУ ТМ ПЛАЗМА ПХТ
Малогабаритная вакуумная установка
плазмохимического травления с ICP источником плазмы
«МВУ ТМ ПЛАЗМА ПХТ ICP»
Назначение:
Плазмохимическое селективное (реактивноионное, анизотропное) травление
диэлектрических и металлических пленок.
Особенности:
• индивидуальная обработка подложек до Ø 150
мм(100х100мм);
• Измерение ВЧ смещения на ВЧ электроде –
подложкодержателе в диапазоне от 400 до 600 В;
• Автоматизированная система управления;
• Безмасляная вакуумная система откачки
(агрегат/ ТМН 300);
• Мощность потребления не более 4 кВт;
• Площадь занимаемая установкой ~ 1,5м2.
МВУ ТМ ПЛАЗМА ПХТ ICP
Малогабаритная вакуумная установка
плазмохимического травления с ICP источником плазмы
«МВУ ТМ ПЛАЗМА ПХТ ICP»
Схема cистем установки:
• Рабочая камера;
• Охлаждаемый электрод подложкодержатель;
• ВЧ генератор 13,56 МГц, 300 Вт;
• Устройство согласования
генератора с нагрузкой;
• Вакуумная система;
• Газовая система – включает
электронный регулятор расхода
газа, ручной запорный кран,
регулятор давления, манометр,
электромагнитный клапан;
• Система водяного охлаждения;
• Микропроцессорная система
управления.
МВУ ТМ ПЛАЗМА ПХТ ICP
Малогабаритная вакуумная установка плазмохимического осаждения пленок из газовой фазы
с диодной системой «МВУ ТМ ИЗОФАЗ CVD»
Назначение:
Осаждение диэлектрических материалов из
газовой фазы с плазменной активацией в ВЧ
разряде.
Особенности:
• индивидуальная обработка подложек до Ø 150
мм(100х100мм);
• Регулирование и автоматическое поддержание
уровня ВЧ мощности в диапазоне 30 - 200 Вт;
• Автоматизированная система управления;
• Безмасляная вакуумная система откачки
(агрегат/ ТМН 300);
• Мощность потребления не более 4 кВт;
• Площадь занимаемая установкой ~ 1,5м2.
МВУ ТМ ИЗОФАЗ CVD
Малогабаритная вакуумная установка плазмохимического осаждения пленок из газовой фазы
с диодной системой «МВУ ТМ ИЗОФАЗ CVD»
Схема cистем установки:
• Рабочая камера;
• Охлаждаемый электрод подложкодержатель;
• ВЧ генератор 13,56 МГц, 300 Вт;
• Устройство согласования
генератора с нагрузкой;
• Вакуумная система;
• Газовая система – включает
электронный регулятор расхода
газа, ручной запорный кран,
регулятор давления, манометр,
электромагнитный клапан;
• Система водяного охлаждения;
• Микропроцессорная система
управления.
МВУ ТМ ИЗОФАЗ CVD
Малогабаритная вакуумная установка плазмохимического осаждения пленок из газовой фазы
с ICP источником «МВУ ТМ ИЗОФАЗ CVD ICP»
Назначение:
Осаждение диэлектрических материалов из
газовой фазы с плазменной активацией в ВЧ
разряде.
Особенности:
• индивидуальная обработка подложек
до Ø 150 мм (100х100мм);
• Регулирование и автоматическое
поддержание уровня ВЧ мощности в
диапазоне 400 - 600 Вт;
• Автоматизированная система управления;
• Безмасляная вакуумная система откачки
(агрегат/ ТМН 300);
• Мощность потребления не более 5 кВт;
• Площадь занимаемая установкой ~ 1,5м2.
МВУ ТМ ИЗОФАЗ CVD ICP
Малогабаритная вакуумная установка плазмохимического осаждения пленок из газовой фазы
с ICP источником «МВУ ТМ ИЗОФАЗ CVD ICP»
Схема систем установки:
• Рабочая камера;
• Охлаждаемый электрод подложкодержатель;
• ВЧ генератор 13,56 МГц, 300 Вт;
• Устройство согласования
генератора с нагрузкой;
• Вакуумная система;
• Газовая система – включает
электронный регулятор расхода
газа, ручной запорный кран,
регулятор давления, манометр,
электромагнитный клапан;
• Система водяного охлаждения;
• Микропроцессорная система
управления.
МВУ ТМ ИЗОФАЗ CVD ICP
ВАКУУМНАЯ УСТАНОВКА МАГНЕТРОННОГО НАНЕСЕНИЯ
МЕТАЛЛИЧЕСКИХ И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СЛОЕВ
«МАГНА ТМ-200»
Назначение:
Нанесение многослойных или
многокомпонентных металлических и
диэлектрических слоев,
в том числе для формирования
наноструктурированных каталитических слоев
(Fe, Ni, Co и других).
Особенности:
• Магнетронное распылительное устройство
планарное с мишенью Ø 280мм или
мультикатодное с мишенями Ø 100мм;
• Шлюзовая камера загрузки-выгрузки подложек
диаметром 100, 150 и 200мм.
• Автоматизированная система управления;
• Высокопроизводительная безмасляная
вакуумная система откачки ;
• Возможность встраивания в «чистую комнату»;
• Возможность объединения в кластерный
комплекс.
МАГНА ТМ-200
ВАКУУМНАЯ УСТАНОВКА МАГНЕТРОННОГО НАНЕСЕНИЯ
МЕТАЛЛИЧЕСКИХ И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СЛОЕВ
«МАГНА ТМ-200»
Технические данные:
• Скорость
нанесения:
 металлических пленок –
до 0,5 мкм/мин;
 диэлектрических пленок –
до 0,2 мкм/мин.
• Неравномерность пленок по
толщине (подложка Ø150 мм) ± 3 %.
• Температура подложек – до 300°С.
МАГНА ТМ-200
ВАКУУМНАЯ УСТАНОВКА ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО
ТРАВЛЕНИЯ НАНОСТРУКТУР «ПЛАЗМА ТМ-200»
Назначение:
Плазмохимическое и реактивно-ионное
травление проводящих и диэлектрических
материалов в том числе для формирования
наноструктур и мирокэлектронных
механических систем (МЭМС).
Особенности:
• Высокочастотный источник индуктивно
связанной плазмы (ICP);
• Шлюзовая камера загрузки-выгрузки
подложек диаметром 100, 150 и 200мм.
• Автоматизированная система управления;
• Высокопроизводительная безмасляная
вакуумная система откачки ;
• Возможность встраивания в «чистую
комнату»;
• Возможность объединения в кластерный
комплекс.
ПЛАЗМА ТМ-200
ВАКУУМНАЯ УСТАНОВКА ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО
ТРАВЛЕНИЯ НАНОСТРУКТУР «ПЛАЗМА ТМ-200»
Технические данные:
• Неравномерность
травления ± 2%.
• Скорость анизотропного
травления:
- Кремния - 1–3 мкм/мин;
- двуокиси кремния, кварца,
стекла «пирекс» - 0,5–1 мкм/мин.
• Аспектное соотношение - 1/10 –
1/30.
ПЛАЗМА ТМ-200
ВАКУУМНАЯ УСТАНОВКА ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО
ОСАЖДЕНИЯ ПЛЕНОК ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ
«ИЗОФАЗ ТМ-200»
Назначение:
Осаждение проводящих и диэлектрических
материалов из газовой фазы, в том числе для
формирования алмазоподобных структур и
выращивания углеродных нанотрубок.
Особенности:
• Источник плазмостимулированного
газофазного осаждения (PECVD);
• Шлюзовая камера загрузки-выгрузки
подложек диаметром 100, 150 и 200мм.
• Автоматизированная система управления;
• Высокопроизводительная безмасляная
вакуумная система откачки ;
• Возможность встраивания в «чистую
комнату»;
• Возможность объединения в кластерный
комплекс.
ИЗОФАЗ ТМ-200
ВАКУУМНАЯ УСТАНОВКА ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО
ОСАЖДЕНИЯ ПЛЕНОК ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ
«ИЗОФАЗ ТМ-200»
Технические данные:
• Осаждение проводящих и
диэлектрических материалов
SiO2, Si3N4, Si, SiC) в
вакуумном реакторе из
газовой фазы с плазменной
активацией в ВЧ, СВЧ
плазме.
• Рабочий стол с
нагревателем до 1000 °С.
• Многоканальная газовая
система.
ИЗОФАЗ ТМ-200
СХЕМА 6-ТИ ПОЗИЦИОННОГО КЛАСТЕРА ИЗ ВАКУУМНЫХ
ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ УСТАНОВОК
1. Модуль «Шлюз»;
2. Модуль «Радиальный
распределительный центр
(РРЦ)»;
3. Модуль «Переходник»;
4. Модуль технологических
установок.
Схема кластера
УСТАНОВКА ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ ПЛАСТИН
И МАТЕРИАЛОВ В ВЫСОКОМ ВАКУУМЕ И ГАЗОВОЙ СРЕДЕ
«ОТЖИГ ТМ»
Назначение:
Автоматизированная термическая
обработка пластин и материалов в
высоком вакууме и газовой среде – отжиг,
сушка, разгонка диффузанта,
восстановление кристаллических структур.
Особенности:
• Групповая обработка до 25 подложек до
Ø100мм;
• Кварцевый реактор с термостатируемой
рабочей зоной;
• Диапазон рабочих температур –
300-650 ⁰С;
• Автоматизированное управление;
• Безмасляная химически стойкая система
откачки;
• Мощность потребления не более 7 кВт;
• Возможность встраивания в чистую
комнату.
ОТЖИГ ТМ
УСТАНОВКА ДЛЯ ПРОЦЕССОВ ОСАЖДЕНИЯ СЛОЕВ
ИЗ ГАЗОВОЙ СРЕДЫ ПРИ ПОНИЖЕННОМ ДАВЛЕНИИ
«ИЗОТРОН ТМ»
Назначение:
Низкотемпературное газофазное осаждение
слоев, в том числе слоев легированной и
нелегированной двуокиси кремния из
концентрированных реагентов при
пониженном давлении.
Особенности:
•Групповая обработка до 25 подложек до
Ø100мм;
•Кварцевый реактор с термостатируемой
рабочей зоной;
•Диапазон рабочих температур 300-600 ⁰С;
•Автоматизированное управление;
•Безмасляная химически стойкая система
откачки;
•Мощность потребления не более 7 кВт;
•Возможность встраивания в чистую
комнату.
ИЗОТРОН ТМ
УСТАНОВКА ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ
ДИЭЛЕКТИЧЕСКИХ СЛОЕВ ПРИ ПОНИЖЕННОМ
ДАВЛЕНИИ «ИЗОПЛАЗ ТМ»
Назначение:
Осаждение диэлектрических
нелегированных и легированных слоев
оксида кремния и слоев нитрида кремния
при пониженном давлении с плазменной
активацией реагентов.
Особенности:
• Групповая обработка до 25 подложек до
Ø100мм;
• Кварцевый реактор с термостатируемой
рабочей зоной;
• Диапазон рабочих температур 250-400 ⁰С;
• Автоматизированное управление;
• Безмасляная химически стойкая система
откачки;
• Мощность потребления не более 5 кВт;
• Возможность встраивания в чистую
комнату.
ИЗОПЛАЗ ТМ
УСТАНОВКА ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ
ДИЭЛЕКТИЧЕСКИХ СЛОЕВ ПРИ ПОНИЖЕННОМ
ДАВЛЕНИИ «ОКСИД ТМ»
Назначение:
Автоматизированная термическая обработка
пластин и материалов (диффузия, окисление,
отжиг, сушка, разгонка диффузанта,
восстановление кристаллических структур) при
нормальном давлении.
Особенности:
• Групповая обработка до 120 подложек до
Ø100мм;
• Кварцевый реактор с термостатируемой
рабочей зоной;
• Диапазон рабочих температур 300-1100 ⁰С;
• Автоматизированное управление;
• Мощность потребления не более 20 кВт;
• Возможность встраивания в чистую комнату.
ОКСИД ТМ
Четырехпозиционная вакуумная установка с магнетронными
распылительными системами Магна ТМ 5
Назначение:
Нанесение многослойных металлических
пленок на кремниевые пластины методом
магнетронного распыления.
Особенности:
• Нанесение пленок различных немагнитных и
магнитных металлов.
• Применение магнетронных распылителей
планарного типа с дисковой мишенью.
• Предварительное ионное травление и нагрев
подложек до 350 ⁰С.
• Возможность встраивания высокочастотного
магнетрона.
• Работа в автоматическом режиме автономно
и в составе технологических модулей.
Магна ТМ 5
Технические характеристики:
• Автоматический режим работы.
Системы установки:
• Шлюзовая система загрузки-выгрузки пластин.
• Система планетарного вращения пластин с
каруселью пошагового перемещения пластин на
рабочие позиции.
• Магнетронные распылительные устройства.
• Ионный источник для предварительной
очистки поверхности пластин.
• Криогенная система откачки в рабочей
камере.
• Газовая, пневматическая и гидравлическая
системы.
• Микропроцессорная система управления.
• Диаметр обрабатываемых пластин 76, 100, 150мм.
• Производительность (толщина пленки алюминия 1
мкм)
- 76 мм, не менее 80 пластин/час.
- 100 мм, не менее 50 пластин/час.
- 150 мм, не менее 30 пластин/час.
• Неравномерность пленки по толщине ±(3÷5)%.
• Предельное остаточное давление в рабочей камере
6,7*10 -5 Па.
• Четыре рабочие позиции.
• Частота вращения 2-степенного планетарного
механизма 30 об/мин.
• Мощность потребления не более 25 кВт.
• Трехфазная сеть переменного тока с нулевым
проводом напряжением 380/220 В, и частотой 50 Гц.
• Габаритные размеры 2950 х 2610 х 2025 мм.
• Масса не более 2 350 кг.
Магна ТМ 5
Установка жидкофазной эпитаксии структур Эпигран ТМ
КОМПЛЕКТ МАЛОГАБАРИТНОГО
ФИЗИКО-ТЕРМИЧЕСКОГО ОБОРУДОВАНИЯ
Назначение:
Получение эпитаксиальных ферро-гранатовых, цилиндрических
магнитных доменных (ЦМД) и других структур из жидкой фазы.
Особенности:
Отжиг
• Автоматический цикл подготовки расплава и нанесения структуры на
подложку.
• 5 зон нагрева печи и 1 зона нагрева тигля для формирования
необходимого температурного градиента в диапазоне рабочих
температур 300-1250 ⁰С.
• Прецизионное независимое управление температурой каждой зоны.
• Применение прецизионных малогабаритных приводов линейного
перемещения и вращения.
• Мониторинг и графическое отображение температуры и положения
механизмов.
Изотрон• Система блокировок безопасности в автоматическом, ручном и
наладочном режимах.
• Пониженное энергопотребление за счет применения новейших
теплоизоляционных материалов.
• Повышение экологической безопасности оператора за счет полного
ограждения технологического агрегата и организации в его объеме
вытяжной вентиляции.
• Возможность реализации в установке физико-термических процессов
– сушка, отжиг, диффузия, спекание структур и других.
Эпигран ТМ
Схема систем установки:
• Электропечь вертикального типа.
• Приводы вертикального перемещения
консоли и печи с воздухозаборником.
• Привод горизонтального перемещения
и привод вращения штока.
• Основание с донным нагревателем и
подставкой для тигля.
• Вытяжная вентиляция реакционной
зоны с теплообменником.
• Система силового питания
нагревателей.
• Система водяного охлаждения.
• Микропроцессорная система
управления и контроля.
Эпигран ТМ
Четырехпозиционная вакуумная установка
электронно-лучевого испарения ЭЛУ ТМ 5
Назначение:
Нанесение пленок на подложки методом
электронно-лучевого испарения.
Особенности:
• Нанесение пленок на кремниевые подложки диаметром до
200 мм или подложки другой конфигурации, размещенные
на планетарном подложкодержателе.
• Четырехтигельный электронно-лучевой испаритель.
• Предварительная очистка подложек с использованием
ионного источника.
• Нагрев подложек с использованием ионного источника.
• Нагрев подложек с использованием инфракрасных
ламп до температуры 300 ⁰С.
• Безмасляная вакуумная система откачки (с
крионасосом или турбомолекулярным насосом).
• Автономная система водяного охлаждения (с
чиллером).
• Автоматический режим работы установки.
• Измерение толщины пленок в процессе их нанесения
ЭЛУ ТМ 5
Системы установки:
• Шлюзовая система загрузки-выгрузки пластин.
• Система планетарного вращения пластин с
каруселью пошагового перемещения пластин на
рабочие позиции.
• Четырехтигельный электронно-лучевой
испаритель.
• Ионный источник для предварительной очистки
поверхности пластин.
• Криогенная или турбомолекулярная система
откачки в рабочей камере.
• Газовая, пневматическая и гидравлическая
системы.
• Микропроцессорная система управления.
• Кварцевый измеритель толщины пленок
Технические характеристики:
• Автоматический режим работы.
• Диаметр обрабатываемых пластин 76, 100, 150, 200 мм.
• Неравномерность пленки по толщине ±4%.
• Предельное остаточное давление в рабочей камере
6,7*10 -5 Па.
• Четыре рабочие позиции.
• Частота вращения 2-степенного планетарного
механизма 30 об/мин.
• Мощность потребления не более 17 кВт.
• Трехфазная сеть переменного тока с нулевым проводом
напряжением 380/220 В, и частотой 50 Гц.
• Габаритные размеры 2950 х 2610 х 2025 мм.
• Масса не более 2 350 кг.
ЭЛУ ТМ 5
Вакуумная установка непрерывного действия
с магнетронными распылительными устройствами МАГНА ТМ 29
Назначение:
Нанесение многослойных металлических пленок на
кремниевые пластины методом магнетронного
распыления.
Особенности:
• Шлюзовая камера загрузки – выгрузки подложек до
Ø150мм;
• Конвейерная система транспортирования;
• Автоматизированное управление;
• Высокопроизводительная безмасляная вакуумная
система откачки;
• Возможность встраивания в чистую комнату.
МАГНА ТМ 29
Вакуумная установка нанесения многослойных
плёнок на рулонный материал «Магна ТМ Р»
Особенности:
 2-4 магнетрона или 2 магнетрона (с расширением до 4);
 Для каждого магнетрона распыление металла мишени в
плазме магнетронного разряда;
 Нанесение многослойных плёнок осуществляется
посредством многократного реверсивного перемещения
материала между магнетронами;
 Двусторонняя обработка рулонного материала шириной
от 60 до 150мм в одном технологическом цикле;
 Подготовка поверхности рулонного материала – нагрев
и ионная очистка в плазме тлеющего разряда;
 Безмасляная вакуумная система откачки;
 Автономная система водяного охлаждения;
 Автоматическое управление от персонального компьютера;
 Мощность потребления (4 магнетрона) – не более 10 кВт.
Магна ТМ Р
СПАСИБО ЗА ВНИМАНИЕ
Россия, 124460 Москва, Зеленоград, Панфиловский проспект 10
Телефон: +7(495)229-7501, Факс: +7(495)229-7522
Email: [email protected], Сайт: www.niitm.ru
1/--страниц
Пожаловаться на содержимое документа